Growth and characterization of GaInP layers on GaAs substrates by MOCVD

被引：0

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作者：

Yu, Qingxuan ^{[1
]}

Peng, Ruiwu ^{[1
]}

Li, Cuiyun ^{[1
]}

Ren, Yaocheng ^{[1
]}

机构：

[1] Shanghai Inst of Metallurgy, Shanghai, China

来源：

Rare Metals | 1993年 / 12卷 / 04期

关键词：

GaInP layer growth - MOCVD method;

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

(Edited Abstract)

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页码：264 / 266

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