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THRESHOLD-VOLTAGE INSTABILITY OF MOS TRANSISTORS IN AN LSI MEMORY UNDER ACCELERATED OPERATING TEST CONDITION AT 77 K.
被引：0
作者：
Watanabe, Yoshio
Kaizu, Katsumi
Fukuda, Yukio
机构：
来源：
|
1600年
/
E66期
关键词：
Compendex;
D O I：
暂无
中图分类号：
学科分类号：
摘要：
DATA STORAGE, SEMICONDUCTOR
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