HOT-ELECTRON TRAPPING IN THIN LPCVD SIO2 DIELECTRICS.

被引：0

作者：

Kawamoto, Galen H. ^{[1
]}

Magyar, Gregory R. ^{[1
]}

Yau, Leopoldo D. ^{[1
]}

机构：

[1] Intel Corp, Hillsboro, OR, USA, Intel Corp, Hillsboro, OR, USA

来源：

关键词：

HOT-ELECTRON PERFORMANCE - HOT-ELECTRON TRAPPING - LIQUID-PHASE CHEMICAL VAPOR DEPOSITION OXIDE - POSTDEPOSITION ANNEAL - TRAP SENSITIVITY;

D O I：

暂无

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学科分类号：

摘要：

引用