Microscopic analysis of the degradation mechanism of gallium arsenide metal-semiconductor field-effect transistor

被引：0

作者：

Mitsubishi Electric Corp, Hyogo, Japan ^{[1
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机构：

来源：

Jpn J Appl Phys Part 1 Regul Pap Short Note Rev Pap | / 8卷 / 4301-4305期

关键词：

Aging of materials - Amorphous materials - Crystallography - Degradation - Microscopic examination - Raman scattering - Semiconducting gallium arsenide - Transmission electron microscopy;

D O I：

暂无

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学科分类号：

摘要：

引用