Crystallinity of 3C-SiC films grown on Si substrates

被引：0

作者：

Yagi, K. ^{[1
]}

Nagasawa, H. ^{[1
]}

机构：

[1] Hoya Corp, Tokyo, Japan

来源：

Materials Science Forum | 1998年 / 264-268卷 / pt 1期

关键词：

D O I：

暂无

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