SELECTIVE MOCVD GROWTH OF GaAs ON Si SUBSTRATE WITH SUPERLATTICE INTERMEDIATE LAYERS.

被引：0

作者：

Soga, Tetsuo ^{[1
]}

Sakai, Shiro ^{[1
]}

Umeno, Masayoshi ^{[1
]}

Hattori, Shuzo ^{[1
]}

机构：

[1] Nagoya Univ, Nagoya, Jpn, Nagoya Univ, Nagoya, Jpn

来源：

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers & Short Notes | 1987年 / 26卷 / 02期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用

页码：252 / 255