PLANAR INP/INGAASP THREE-DIMENSIONAL GRADED-JUNCTION AVALANCHE PHOTODIODE.

被引：0

作者：

Chi, Gou-Chung ^{[1
]}

Muehlner, D.J. ^{[1
]}

Ostermayer Jr., F.W. ^{[1
]}

Fruend, J.M. ^{[1
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O'Brien, K.J. ^{[1
]}

Pawelek, R. ^{[1
]}

McCoy, R.J. ^{[1
]}

Smith, R.C. ^{[1
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Mattera Jr., Vincent D. ^{[1
]}

机构：

[1] AT&T Bell Lab, Murray Hill, NJ,, USA, AT&T Bell Lab, Murray Hill, NJ, USA

来源：

关键词：

D O I：

暂无

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