Current-voltage and capacitance characteristics of modulation-doped field effect transistors

被引：0

作者：

Shenggui, Deng ^{[1
]}

机构：

[1] Acad Sinica

来源：

Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors | 1990年 / 11卷 / 07期

关键词：

7;

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用

收藏

页码：521 / 526

相关论文

empty

未找到相关数据