Numerical simulation of backgating suppression in high electron mobility transistors (HEMTs) with a low temperature molecular beam epitaxy (MBE)-grown gallium arsenide buffer layer between the substrate and active layers

被引：0

作者：

Tan, Leng Seow ^{[1
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Lau, Wai Shing ^{[1
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Samudra, Ganesh Shankar ^{[1
]}

Lee, Kin Man ^{[1
]}

Ang, Boon Yong ^{[1
]}

机构：

[1] Natl Univ of Singapore, Singapore

来源：

Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters | 1994年 / 33卷 / 6 B期

关键词：

Backgating - Buffer layers - Electron trap;

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用