Metal-insulator transition in heavily doped semiconductors

被引：0

作者：

Lohneysen, Hibert V. ^{[1
]}

机构：

[1] Physikalisches Institut, Universität Karlsruhe, D-76128, Karlsruhe, Germany

来源：

Current Opinion in Solid State and Materials Science | 1998年 / 3卷 / 01期

关键词：

D O I：

暂无

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引用

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