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Epitaxial lateral overgrowth of GaAs on a Si substrate
被引：0
作者：
机构：
[1] Ujiie, Yoshinori
[2] Nishinaga, Tatau
来源：
Ujiie, Yoshinori
|
1600年
/
28期
关键词：
Semiconducting Gallium Arsenide;
D O I：
暂无
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