Fully self-aligned tri-layer a-Si:H thin-film transistors with deposited doped contact layer

被引：0

作者：

Pennsylvania State Univ, University Park, United States ^{[1
]}

机构：

来源：

IEEE Electron Device Lett | / 4卷 / 124-126期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用

收藏

相关论文

empty

未找到相关数据