EPITAXIAL NICKEL AND COBALT SILICIDE FORMATION BY RAPID THERMAL ANNEALING.

被引：0

作者：

Chevallier, J. ^{[1
]}

Larsen, A.Nylandsted ^{[1
]}

机构：

[1] Univ of Aarhus, Inst of Physics,, Aarhus, Den, Univ of Aarhus, Inst of Physics, Aarhus, Den

来源：

Applied Physics A: Solids and Surfaces | 1986年 / A39卷 / 02期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用

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