THERMAL SiO2 ON N + POLYCRYSTALLINE SILICON: ELECTRICAL CONDUCTION AND BREAKDOWN.

被引：0

作者：

Faraone, Lorenzo ^{[1
]}

机构：

[1] RCA Lab, Princeton, NJ, USA, RCA Lab, Princeton, NJ, USA

来源：

IEEE Transactions on Electron Devices | 1986年 / ED-33卷 / 11期

关键词：

SILICON DIOXIDE - THERMAL OXIDATION;

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用

收藏

页码：1785 / 1794

相关论文

empty

未找到相关数据