CHARACTERISTICS OF HIGH TEMPERATURE ANNEALING ON MODULATION DOPED GaAs/AlxGa1 - xAs HETEROSTRUCTURES.

被引：0

作者：

Xin, Shangheng ^{[1
]}

机构：

[1] Shanghai Jiaotong Univ, China, Shanghai Jiaotong Univ, China

来源：

Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors | 1986年 / 7卷 / 05期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

SEMICONDUCTOR DEVICES

引用

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