AlInGaAs/AlGaAs strained quantum well lasers grown by molecular beam epitaxy

被引：0

作者：

Inst of Semiconductors, The Chinese Acad of Sciences, Beijing, China ^{[1
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机构：

来源：

Pan Tao Ti Hsueh Pao | / 4卷 / 313-316期

关键词：

D O I：

暂无

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