Preparation of wide-gap hydrogenated amorphous silicon carbide thin films by hot-wire chemical vapor deposition at a low tungsten temperature

被引：0

作者：

机构：

[1] Tabata, Akimori

[2] Nakajima, Takayuki

[3] Mizutani, Teruyoshi

[4] Suzuoki, Yasuo

来源：

Tabata, A. (tabata@nuee.nagoya-u.ac.jp) | 1600年 / Japan Society of Applied Physics卷 / 42期

关键词：

D O I：

暂无

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