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Transmission electron microscopy study of heavily delta-doped GaAs grown by molecular beam epitaxy
被引：0
作者：
Liu, D.G.
Fan, J.C.
Lee, C.P.
Chang, K.H.
Liou, D.C.
机构：
来源：
Journal of Applied Physics
|
1993年
/
73卷
/
02期
关键词：
D O I：
暂无
中图分类号：
学科分类号：
摘要：
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