Near band-gap emission in V-implanted and annealed 4H-SiC

被引：0

作者：

Henry, A. ^{[1
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Egilsson, T. ^{[1
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Ivanov, I.G. ^{[1
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Harris, C.I. ^{[1
]}

Savage, S. ^{[1
]}

Janzen, E. ^{[1
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机构：

[1] Linkoping Univ, Linkoping, Sweden

来源：

Materials Science Forum | 1998年 / 264-268卷 / pt 1期

关键词：

D O I：

暂无

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学科分类号：

摘要：

引用

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