ELECTRICAL CHARACTERISTICS OF BE-IMPLANTED GAAS ACTIVATED BY RAPID THERMAL ANNEALING.

被引：0

作者：

Maezawa, Koichi ^{[1
]}

Oe, Kunishige ^{[1
]}

机构：

[1] NTT, Atsugi, Jpn, NTT, Atsugi, Jpn

来源：

Electron device letters | 1986年 / EDL-7卷 / 01期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

SEMICONDUCTING GALLIUM ARSENIDE

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