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TRAP DISTRIBUTION AND MEMORY CHARACTERISTICS OF MNOS DIODES.
被引：0
作者：
Katesube, Teruaki
Adachi, Yoshio
Ikoma, Toshiaki
机构：
来源：
Electronics and Communications in Japan (English translation of Denshi Tsushin Gakkai Zasshi)
|
1976年
/
59卷
/
02期
关键词：
Compendex;
D O I：
暂无
中图分类号：
学科分类号：
摘要：
DATA STORAGE, SEMICONDUCTOR
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页码：131 / 139
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