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SIMS study of the concentration of dopants in LPCVD silicon thin films
被引：0
作者：
机构：
[1] Wong, S.K.
[2] Du, N.
[3] John, P.K.
[4] Tong, B.Y.
来源：
Wong, S.K.
|
1600年
/
110期
关键词：
Semiconducting Silicon;
D O I：
暂无
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