Deep centers in forward biased GaAs/AlGaAs quantum wells and superlattices

被引：0

作者：

Han, Z.Y. ^{[1
]}

Jia, Y.B. ^{[1
]}

Grimmeiss, H.G. ^{[1
]}

机构：

[1] Lund Univ, Lund, Sweden

来源：

Materials Science Forum | 1994年 / 143-4卷 / pt 2期

关键词：

Semiconducting gallium arsenide;

D O I：

暂无

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