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Downstream etching of Si and SiO2 employing CF4/O2 or NF3/O2 at high temperature
被引：0
作者：
机构：
[1] Nagata, Akiyoshi
[2] Ichihashi, Hideki
[3] Kusunoki, Yasutomo
[4] Horiike, Yasuhiro
来源：
Nagata, Akiyoshi
|
1600年
/
28期
关键词：
8;
D O I：
暂无
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