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Quantum well wire fabrication method using self-organized multiatomic steps on vicinal (001) GaAs surfaces by metalorganic vapor phase epitaxy
被引：0
作者：
Hokkaido Univ, Sapporo, Japan
[1
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机构：
来源：
Jpn J Appl Phys Part 1 Regul Pap Short Note Rev Pap
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8 B卷
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4401-4404期
关键词：
D O I：
暂无
中图分类号：
学科分类号：
摘要：
5
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