0.10 μm dense hole pattern formation by double exposure utilizing alternating phase shift mask using KrF excimer laser as exposure light

被引：0

作者：

Nakao, Shuji ^{[1
]}

Nakae, Akihiro ^{[1
]}

Yamaguchi, Atsumi ^{[1
]}

Tsujita, Kouichirou ^{[1
]}

Wakamiya, Wataru ^{[1
]}

机构：

[1] ULSI Development Center, Mitsubishi Electric Corporation, 4-1 Mizuhara, Itami, Hyogo 664-8641, Japan

来源：

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers | 1999年 / 38卷 / 5 A期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用

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