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Electromigration failure of contacts and vias in sub-micron integrated circuit metallizations
被引：0
作者：
AT&T Bell Lab, Orlando, United States
[1
]
机构：
来源：
Microelectron Reliab
|
/
7-8卷
/
925-953期
关键词：
D O I：
暂无
中图分类号：
学科分类号：
摘要：
Electromigration
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