Characteristics of polycrystalline silicon thin-film transistors with thin oxide/nitride gate structures

被引：0

作者：

Cheng, Huang-Chung ^{[1
]}

Tai, Ya-Hsiang ^{[1
]}

Feng, Ming-Shiann ^{[1
]}

Wang, Jau-Jey ^{[1
]}

机构：

[1] Natl Chiao Tung Univ, Hsinchu, Taiwan

来源：

| 1798年 / Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers, Bellingham, WA, United States卷 / 32期

关键词：

Display technologies - Gate dielectrics thermal oxides - Polycrystalline silicon thin-film transistors;

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用