Lattice site location of thulium and erbium implanted GaAs

被引：0

作者：

Alves, E. ^{[1
]}

da Silva, M.F. ^{[1
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Soares, J.C. ^{[1
]}

Henry, M.O. ^{[1
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Gwilliam, R. ^{[1
]}

Sealy, B.J. ^{[1
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Freitag, K. ^{[1
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Vianden, R. ^{[1
]}

Stievenard, D. ^{[1
]}

机构：

[1] Inst Tecnologico e Nuclear, Sacavem, Portugal

来源：

Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms | 1998年 / 136-138卷

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用

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