INFLUENCE OF UNIAXIAL DEFORMATION ON THE CONDUCTIVITY OF COMPENSATED p-TYPE Ge AND ON THE CHANGE IN THE CONDUCTIVITY DUE TO MICROWAVE RADIATION.

被引：0

作者：

Vavilov, V.S.

Kazanskii, A.G.

Koshelev, O.G.

机构：

来源：

Soviet Physics, Semiconductors (English translation of Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov) | 1975年 / 8卷 / 12期

关键词：

Compendex;

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

SEMICONDUCTING GERMANIUM

引用

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