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Chapter 4 Doping of Wide-band-gap II-VI Compounds-Theory
被引：0
作者：
Xerox Palo Alto Research Center Palo, Alto, CA, United States
[1
]
机构：
来源：
Semicond. Semimet.
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C卷
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121-162期
关键词：
D O I：
暂无
中图分类号：
学科分类号：
摘要：
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