Stability improvement of selective oxidation during the fabrication of InGaAs/GaAs vertical cavity surface emitting laser

被引：0

作者：

Tokyo Inst of Technology, Yokohama, Japan ^{[1
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机构：

来源：

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers & Short Notes & Review Papers | 1998年 / 37卷 / 6 B期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用

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