Characterization of (100) CdTe epilayers grown on (100) GaAs by MOCVD

被引:0
作者
Peng, Ruiwu [1 ]
Ding, Yongqing [1 ]
Wang, Geya [1 ]
Peng, Chen [1 ]
机构
[1] Shanghai Inst of Metallurgy, Shanghai, China
来源
Rare Metals | 1990年 / 9卷 / 03期
关键词
13;
D O I
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页码:177 / 183
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