Vapor phase epitaxy of GaAs by direct reduction of GaCl3 With AsH3/H2

被引：0

作者：

Hasegawa, Fumio ^{[1
]}

Yamaguchi, Hiromu ^{[1
]}

Katayama, Koji ^{[1
]}

机构：

[1] Univ of Tsukuba, Japan

来源：

Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters | 1988年 / 27卷 / 08期

关键词：

D O I：

暂无

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学科分类号：

摘要：

引用