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Grounded-gate nMOS transistor behavior under CDM ESD stress conditions
被引：0
作者：
IMEC, Leuven, Belgium
[1
]
机构：
来源：
IEEE Trans Electron Devices
|
/
11卷
/
1972-1980期
关键词：
Number:;
ERBCHBGCT;
930;
285;
Acronym:;
-;
Sponsor:;
D O I：
暂无
中图分类号：
学科分类号：
摘要：
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