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DUAL-GATE GaAs MESFETs: A LOW-NOISE ALTERNATIVE TO MOSFETs AT 1000 MHz.
被引：0
作者：
Weitzel, C.W.
Paulson, W.
Scheitlin, D.
Vaitkus, R.
机构：
来源：
|
1600年
/
23期
关键词：
DUAL GATE GAAS MESFETS;
D O I：
暂无
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学科分类号：
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