Analysis of fluorocarbon deposition during SiO2 etching

被引：0

作者：

Maruyama, Takahiro ^{[1
]}

Fujiwara, Nobuo ^{[1
]}

Siozawa, Ken-itiro ^{[1
]}

Yoneda, Masahiro ^{[1
]}

机构：

[1] Mitsubishi Electric Corp, Hyogo, Japan

来源：

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers & Short Notes & Review Papers | 1996年 / 35卷 / 4 B期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用

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