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ION BEAM INDUCED ATOMIC DISTRIBUTION OF IMPLANTED RANGE PROFILES (THE SYSTEM Ne yields Ge/Si).
被引：0
作者：
Tognetti, N.P.
Carter, G.
Gras-Marti, A.
Armour, D.G.
机构：
来源：
Radiation effects letters
|
1981年
/
63卷
/
03期
关键词：
Compendex;
D O I：
暂无
中图分类号：
学科分类号：
摘要：
ION BEAMS
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页码：69 / 72
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