High density fluorocarbon etching of silicon in an inductively coupled plasma: mechanism of etching through a thick steady state fluorocarbon layer

被引：0

作者：

State Univ of New York at Albany, Albany, United States ^{[1
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机构：

来源：

Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films | 1998年 / 16卷 / 01期

关键词：

Atoms - Diffusion - Ellipsometry - Fluorine - Fluorocarbons - Ions - Mathematical models - Molecular dynamics - Reaction kinetics - Silicon - X ray photoelectron spectroscopy;

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用

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