Interface-state density and noise behavior of gamma-irradiated MOSFET's

被引：0

作者：

Liu, Cheng-Kuang ^{[1
]}

Chen, Tsung-Ming ^{[1
]}

机构：

[1] Natl Taiwan Inst of Technology, Taiwan

来源：

Journal of the Chinese Institute of Engineers, Transactions of the Chinese Institute of Engineers,Series A/Chung-kuo Kung Ch'eng Hsuch K'an | 1989年 / 12卷 / 06期

关键词：

28;

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用

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