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Selective growth of InGaAs/InP layers by gas source molecular beam epitaxy with atomic hydrogen irradiation
被引：0
作者：
机构：
[1] Kuroda, Naotaka
[2] Sugou, Shigeo
[3] Sasaki, Tatsuya
[4] Kitamura, Mitsuhiro
来源：
Kuroda, Naotaka
|
1600年
/
32期
关键词：
D O I：
暂无
中图分类号：
学科分类号：
摘要：
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