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DIFFUSION OF BORON INTO SILICON FROM A GASEOUS MIXTURE OF HYDROGEN AND BORON TRIBROMIDE.
被引：0
作者：
Sladkov, I.B.
Tuchkevich, V.V.
Shmidt, N.M.
机构：
来源：
Soviet Physics, Semiconductors (English translation of Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov)
|
1973年
/
7卷
/
05期
关键词：
BORON;
-;
Diffusion;
D O I：
暂无
中图分类号：
学科分类号：
摘要：
Boron diffusion into silicon single crystals with mechanically polished surfaces was studied determining the dependences of surface resistance on the diffusion parameters.
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页码：591 / 592
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