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Observation by electroabsorption of strain-enhanced interface roughening in GaxIn1-xAs/Ga0.22In0.78As0.48P0.52 quantum wells prepared by gas-source molecular beam epitaxy
被引：0
作者：
Simes, R.J.
Starck, C.
Weihofen, R.
Weiser, G.
机构：
来源：
Journal of Applied Physics
|
1993年
/
74卷
/
06期
关键词：
D O I：
暂无
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