Analysis of hot-carrier-induced degradation mode on pMOSFET's

被引：0

作者：

机构：

[1] Matsuoka, Fumitomo

[2] Iwai, Hiroshi

[3] Hayashida, Hiroyuki

[4] Hama, Kaoru

[5] Toyoshima, Yoshiaki

[6] Maeguchi, Kenji

来源：

Matsuoka, Fumitomo | 1600年 / 37期

关键词：

Deep-Gate Bias - Hot-Carrier-Induced Degradation - PMOSFET - Polysilicon Gate - Shallow Gate Bias - Trapped Holes;

D O I：

暂无

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学科分类号：

摘要：

引用