Interdiffusion in InGaAs/GaAs and InGaAs/GaAsP quantum wells

被引：0

作者：

Ferdinand-Braun-Inst fuer, Hoechstfrequenztechnik Berlin, Berlin, Germany ^{[1
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机构：

来源：

Mater Sci Eng B Solid State Adv Technol | / 1-3卷 / 20-23期

关键词：

Annealing - Auger electron spectroscopy - Encapsulation - Interdiffusion (solids) - Metallorganic vapor phase epitaxy - Photoluminescence - Semiconducting gallium compounds - Semiconducting indium compounds - Silica - Strain - Thermal effects - X ray diffraction analysis;

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用