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Comparison of the etching behavior of GaAs and GaN in a chemically-assisted ion-beam etching system
被引：0
作者：
Department of Optoelectronics, University of Ulm, D-89069 Ulm, Germany
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机构：
来源：
Microelectron Eng
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1卷
/
323-326期
关键词：
D O I：
暂无
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