DOPANT REDISTRIBUTION OF As-IMPLANTED SOI FILMS DURING RAPID THERMAL ANNEALING.

被引：0

作者：

Lin, Cheng-lu ^{[1
]}

Tsou, Shih-chang ^{[1
]}

机构：

[1] Shanghai Inst of Metallurgy, Shanghai, China, Shanghai Inst of Metallurgy, Shanghai, China

来源：

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

SEMICONDUCTING FILMS

引用

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