Novel high-density EEPROM cell using a polysilicon-gate hole (POLE) structure suitable for low-power applications

被引：0

作者：

Takebuchi, Masataka ^{[1
]}

Noda, Jun-ichiro ^{[1
]}

Tohyama, Daisuke ^{[1
]}

Ueno, Shu ^{[1
]}

Osari, Kanji ^{[1
]}

Yoshikawa, Kuniyoshi ^{[1
]}

机构：

[1] Toshiba Corp, Kawasaki, Japan

来源：

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers & Short Notes & Review Papers | 1996年 / 35卷 / 2 B期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用

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