Radiation properties of silicon metal-oxide-semiconductor structures with zinc-doped oxides

被引：0

作者：

Brozek, Tomasz ^{[1
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Didenko, Piotr I. ^{[1
]}

Kiblik, Vasilij Y. ^{[1
]}

Logush, Oleg I. ^{[1
]}

Litovchenko, Vladimir G. ^{[1
]}

Romanova, Galina F. ^{[1
]}

机构：

[1] Warsaw Univ of Technology, Warsaw, Poland

来源：

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers | 1994年 / 33卷 / 10期

关键词：

Semiconductor device structures;

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用

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