Hydrogenated amorphous silicon thin film transistor fabricated on plasma treated silicon nitride

被引：19

作者：

Lim, Byung Cheon ^{[1
]}

Choi, Young Jin ^{[1
]}

Choi, Jong Hyun ^{[1
]}

Jang, Jin ^{[1
]}

机构：

[1] Department of Physics, Kyung Hee University, Seoul 130-701, Korea, Republic of

来源：

关键词：

Field effect mobility - Hydrogenated amorphous silicon - Plasma treatment;

D O I：

10.1109/16.822282

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用